В газовой фазе всегда присутствует некоторое, определенное для данной температуры количество воды, находящейся в равновесии с еще не разложившимися кристаллогидратами и со следами окислов, возникающих от действия воды па галогенид. Присутствие в газовой фазе галогена или галогеноводорода предупреждает смещение равновесия в сторону образования окисла. Если же по тем или иным причинам температура реакционной массы повысится, при постоянной скорости пропускания галогенирующего агента, или количество последнего, при постоянной температуре, снизится, то в газовой фазе окажется значительное количество паров воды, которые и будут переводить уже обезвоженные порции галогенида в окислы.
Таким образом, при обезвоживании галогенидов продукт почти всегда содержит некоторое количество окиси или оксигалогенидов.
Однако известно, что некоторые окислы при высокой температуре могут снова перейти в галогениды. Следовательно, если окисел металла легко галогенируется, то галогенид этого металла можно обезвоживать описываемым методом, не опасаясь загрязнения галогенида окислами того же металла. Если же окислы металла непосредственным галогенированием не переводятся в галогениды, продукт всегда будет загрязнен образующимися окислами. К числу таких веществ нужно отнести, например, галогениды хрома, алюминия, тория и циркония.
Обезвоживание галогенпдов этих металлов следует проводить при невысоких температурах (например, около 100—150 С), так как в этом случае пары воды не переводят их в окислы в заметной степени. Однако при этих температурах обезвоживание галогенидов проходит медленно, и нужно в течение нескольких дней пропускать над порошком кристаллогидрата большое количество тщательно осушенного галогенирующего вещества.